Como uno de los materiales representativos de los semiconductores de banda ancha, el carburo de silicio (SiC) ha acelerado su penetración en más campos en el pasado 2024. Estimulada por la reducción de costos y la mejora de la eficiencia, la industria global del carburo de silicio mantuvo una ola de " aumento de capital y expansión" en 2024. Las empresas relacionadas en la cadena industrial compitieron para hacer nuevos movimientos, expandieron activamente la capacidad de producción y promovieron el proceso de industrialización del carburo de silicio para avanzar.

En este contexto, en 2025, la industria del carburo de silicio entrará oficialmente en la etapa crítica de conversión de capacidad de 8 pulgadas; al mismo tiempo, las empresas también enfrentarán una mayor presión competitiva y nuevos desafíos en el proceso de dar la bienvenida a la implementación acelerada de la industrialización.

Los grandes fabricantes apuestan por los " de gran tamaño

Las empresas de carburo de silicio están avanzando hacia obleas y sustratos de 8 pulgadas.

Para captar más participación de mercado en vehículos eléctricos, industria, energía y otros campos, fabricantes internacionales como STMicroelectronics y ON Semiconductor han invertido fuertemente en la construcción de nuevas fábricas de 8 pulgadas para ampliar la capacidad de producción de carburo de silicio.

En mayo de 2024, STMicroelectronics anunció que construiría una base integrada de fabricación, empaquetado y prueba a gran escala para dispositivos y módulos de energía de carburo de silicio de 8 pulgadas en Catania, Italia, que también es la primera fábrica de carburo de silicio integrada verticalmente con proceso completo del mundo. Se espera que la inversión total del proyecto sea de 5 mil millones de euros, y se espera que entre en funcionamiento en 2026 y alcance su capacidad de producción total en 2033. Con este proyecto, STMicroelectronics hará realidad su ambición de integrar verticalmente por completo la fabricación de carburo de silicio: completar la producción de dispositivos de energía de carburo de silicio desde la investigación y el desarrollo de chips hasta la fabricación, desde los sustratos de obleas hasta los módulos en un solo parque, lo que permitirá el proceso de electrificación y la transformación de alta eficiencia de los clientes automotrices e industriales.

En junio de ese mismo año, ON Semiconductor anunció que invertiría 2.000 millones de dólares para construir una planta de fabricación de carburo de silicio integrada verticalmente en la República Checa para ampliar su capacidad de producción de carburo de silicio. En diciembre, ON Semiconductor anunció que había llegado a un acuerdo con Qorvo para adquirir el negocio de tecnología de transistores de efecto de campo de unión de carburo de silicio (SiC JFET) y la filial de Qorvo, United Silicon Carbide, por 115 millones de dólares en efectivo. ON Semiconductor afirmó que la medida acelerará la preparación de ON Semiconductor para mercados emergentes como los desconectores de baterías de vehículos eléctricos y los disyuntores de estado sólido.

En agosto, Infineon lanzó oficialmente la primera fase de la planta de obleas de SiC de Kulin, que ayudará a Infineon a alcanzar su objetivo de ocupar el 30% de la cuota de mercado mundial de SiC para 2030.

Además, recientemente se informó que el proveedor alemán de piezas de automoción Bosch ha llegado a un acuerdo preliminar con el Departamento de Comercio de EE. UU. y planea invertir 1.900 millones de dólares para transformar la planta de fabricación de Roseville en California en una fábrica de semiconductores para la producción de chips SiC de 8 pulgadas.

Aunque Japón sigue ocupando una posición central en el campo de los semiconductores de potencia, también se ha enfrentado a desafíos provocados por los cambios del mercado y de la industria en los últimos años. Por este motivo, los fabricantes japoneses de semiconductores de potencia han aumentado la inversión y ampliado la producción en 2024 para fortalecer su cadena de suministro de SiC.

En julio de 2024, la japonesa Rohm Semiconductor, a través de su filial Lapis Semiconductor, llegó a un acuerdo básico con Solar Frontier para adquirir los activos de su planta de Kunitomi y transformar la planta en una planta de fabricación de obleas de SiC de 8 pulgadas. En septiembre del mismo año, Sumitomo Metal y su filial de propiedad absoluta Sicoxs Coparation anunciaron que construirían una nueva línea de producción en masa de SiCkrest (tecnología de fabricación de sustrato de unión directa desarrollada por Sicoxs) de 8 pulgadas en la planta de Sicoxs en Ohkuchi. Otra empresa japonesa, Fuji Electric, anunció que invertiría 200 mil millones de yenes en la producción de semiconductores de potencia de carburo de silicio en el año fiscal 2024-2026, incluida la capacidad de producción de SiC de 8 pulgadas en su planta de Matsumoto en Japón, que se espera que comience la producción en 2027.

Cabe señalar que mi país también se está poniendo al día en la fabricación de obleas de 8 pulgadas. En abril de 2024, la oblea de ingeniería de carburo de silicio de 8 pulgadas de Xinlian Integrated se puso en producción con éxito, convirtiéndose en la primera fábrica de obleas en China en comenzar la producción de carburo de silicio de 8 pulgadas, y planea entrar en producción en masa en 2025.

Los expertos de la industria señalaron que el cambio del carburo de silicio de 6 a 8 pulgadas es una tendencia inevitable, y la producción en masa de 8 pulgadas ayudará a que los productos de carburo de silicio avancen hacia una aplicación a gran escala.

La capacidad de producción de sustrato de carburo de silicio ha mejorado mucho

Desde la perspectiva de la cadena industrial, el principal desafío que enfrenta el carburo de silicio en el momento de la actualización y el cambio de marchas se encuentra en el extremo del sustrato. Debido a las altas barreras técnicas y financieras de los sustratos de carburo de silicio, la capacidad de producción de sustratos afecta el ritmo de desarrollo de la industria del carburo de silicio. En los últimos años, la industria de sustratos de carburo de silicio de mi país se ha desarrollado rápidamente y se ha convertido en una importante base de producción global.

En 2024, las empresas relacionadas con el sustrato de carburo de silicio implementaron activamente la expansión de capacidad y más proyectos entraron en la etapa de implementación o avanzaron.