El 31 de diciembre de 2024, según la Asociación de la Industria de Materiales Electrónicos de China, Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., una subsidiaria de China Electronics Technology Semiconductor Materials Co., Ltd., desarrolló recientemente con éxito un sustrato monocristalino de carburo de silicio semiaislante de alta pureza de 12 pulgadas (300 mm) y, al mismo tiempo, desarrolló con éxito un sustrato monocristalino de carburo de silicio tipo N de 12 pulgadas.

En términos de construcción de capacidad, el proyecto Shuoke Crystal Silicon Carbide Phase II pasó la aceptación de finalización en octubre de 2024, lo que marca el inicio oficial de la producción del proyecto. Se espera que la finalización del proyecto de la Fase II aporte a Shuoke Crystal 200.000 sustratos de carburo de silicio de 6-8 pulgadas adicionales por año, incluidos 200.000 sustratos monocristalinos de carburo de silicio tipo N por año y 25.000 sustratos de alta pureza por año.

En cuanto al avance de 8 pulgadas, Shuoke Crystal desarrolló cristales de carburo de silicio de 8 pulgadas en agosto de 2021 y, luego, en enero de 2022, Shuoke Crystal logró la producción a pequeña escala de obleas de pulido de carburo de silicio tipo N de 8 pulgadas. El aumento del tamaño de las obleas significa que se pueden fabricar más chips en cada oblea, lo que mejora la eficiencia de la producción. No solo reduce el costo de producción de un solo chip, sino que también optimiza el costo general de fabricación. Por lo tanto, las obleas de gran tamaño son más eficientes económicamente y aportan mayores ventajas competitivas a los fabricantes.

En la actualidad, las obleas de gran tamaño se han convertido en un objetivo común que persiguen los principales fabricantes. Además de Shuoke Crystal, Tianyue Advanced lanzó un producto de sustrato de carburo de silicio tipo N de 12 pulgadas el 13 de noviembre de 2024, lo que marca que la industria del carburo de silicio ha entrado oficialmente en la era de los sustratos de carburo de silicio de tamaño ultragrande. Aunque el campo de los sustratos de carburo de silicio se está transformando actualmente de 6 pulgadas a 8 pulgadas, la futura evolución a 12 pulgadas tiene una gran visibilidad.