Hoy en día, con la aceleración de la industrialización de los materiales semiconductores de tercera generación, el carburo de silicio (SiC) se está expandiendo con fuerza desde las aplicaciones tradicionales de alta temperatura hasta industrias estratégicas emergentes como la de semiconductores y nuevas energías, gracias a sus ventajas clave, como alta densidad de potencia, resistencia a altas presiones y temperaturas, y bajo consumo energético. Como empresa líder en el campo del carburo de silicio durante 30 años, Shenyang Starlight Technology Ceramics ha presenciado y participado en todo el proceso de la industria china del carburo de silicio, desde su inicio hasta su crecimiento, y ha logrado la expansión transfronteriza de los escenarios de aplicación de sus productos con una profunda acumulación técnica y continuos avances en innovación, estableciendo un referente para la sustitución nacional en el campo de la fabricación de semiconductores. Las características superiores de los materiales de carburo de silicio son la base fundamental para que Shenyang Starlight logre avances transfronterizos. Con un punto de fusión de hasta 2730 °C, mantiene su estabilidad estructural incluso tras un uso prolongado por debajo de 1600 °C, presenta un coeficiente de expansión térmica de tan solo 4,0 × 10⁻⁶/K y una alta conductividad térmica de 120-150 W/(m·K), lo que lo hace ideal para los entornos hostiles de la fabricación de semiconductores. En comparación con los materiales tradicionales a base de silicio, el carburo de silicio ofrece una resistencia excepcional a la corrosión química y una baja liberación de partículas, lo que le confiere ventajas irremplazables en el procesamiento de precisión, como la fabricación de obleas. En el proceso de crecimiento de cristales de obleas de 12 pulgadas, el soporte de crisol de carburo de silicio que fabrica la empresa puede soportar la carga de forma estable a altas temperaturas superiores a 1400 °C, evitando el ablandamiento y la inclinación del crisol de cuarzo. En procesos de corte, rectificado y otros, las fijaciones cerámicas y los discos de rectificado de carburo de silicio pueden controlar los errores de espesor de la oblea a nivel micrométrico gracias a su alta dureza y baja contaminación, lo que mejora significativamente el rendimiento del chip. Treinta años de profundo desarrollo técnico han permitido a Shenyang Starlight dar el salto del campo tradicional de las altas temperaturas al sector de los semiconductores. Ya en la década de 1990, la empresa se centró en la investigación y el desarrollo básicos de cerámica de carburo de silicio, y gradualmente amplió sus productos a todo el proceso de fabricación de obleas, mejorando continuamente los requisitos de rendimiento de los materiales en la industria de los semiconductores. Hoy en día, sus productos de carburo de silicio abarcan componentes esenciales como los componentes de campo térmico para el crecimiento de cristales, los anillos guía de corte y los soportes para almohadillas de pulido, sustituyendo los metales tradicionales y los materiales cerámicos comunes en la fabricación de dispositivos semiconductores de alta tensión y alta potencia, y solucionando los problemas de la industria, como la corrosión y la baja estabilidad dimensional de los materiales tradicionales.Especialmente en la producción de dispositivos de alta gama como los IGBT de SiC, los materiales de soporte de sustrato de carburo de silicio proporcionados por la empresa proporcionan una garantía clave para la localización de dispositivos de alto voltaje por encima de 18 kV en China.

El talento es el motor principal de la innovación tecnológica. Shenyang Starlight alinea constantemente la mejora de las habilidades de sus empleados con las últimas tendencias del sector. Ante la rápida evolución tecnológica en el sector de los semiconductores, la empresa ha establecido un mecanismo de formación continua, invitando a expertos del sector a impartir conferencias especializadas sobre temas como aplicaciones de materiales semiconductores de tercera generación y tecnologías de procesamiento de obleas de 8 y 12 pulgadas, y organizando equipos técnicos para estudiar los últimos avances en contactos óhmicos de baja temperatura, procesos de trinchera y otros. Mediante intercambios técnicos con institutos de investigación y la participación en cumbres del sector, los empleados monitorizan continuamente la evolución de la demanda en áreas de aplicación como redes inteligentes y vehículos de nuevas energías, garantizando que el desarrollo de productos se ajuste estrechamente a las necesidades del mercado. Este modelo de doble impulso, basado en la I+D tecnológica y el desarrollo del talento, permite a la empresa mantener una ventaja competitiva al abordar los retos de última milla de las aplicaciones de dispositivos de carburo de silicio a gran escala. Posicionada a la vanguardia de la aplicación a gran escala de la industria del carburo de silicio, Shenyang Starlight continuará construyendo sobre treinta años de acumulación tecnológica, centrándose en la innovación de materiales y la optimización de procesos en el campo de los semiconductores, manteniéndose al día con las tendencias de la industria como la comercialización de sustratos de carburo de silicio de 12 pulgadas y aplicaciones de dispositivos de voltaje ultra alto, y apoyando el desarrollo autónomo y controlable de la industria de semiconductores de China con productos de mayor calidad, mientras escribe un nuevo capítulo en el mercado del océano azul de materiales semiconductores de tercera generación.