Hemos estado trabajando con profesionales del sector para explorar las posibilidades desconocidas de los materiales de carburo de silicio y el desarrollo de sus aplicaciones. Recientemente, el profesor Xie de la Universidad de Tsinghua, el profesor Ru de la Universidad del Noreste y los doctores Wang y Tang del Instituto de Investigación de Metales de la Academia de Ciencias de China visitaron nuestra empresa para cooperar e intercambiar ideas.

1. Sinergia académico-industrial: uniendo teoría y práctica

La cumbre técnica de tres días organizada en nuestro centro de I+D facilitó debates profundos sobre la superación de los desafíos de larga data en la comercialización del carburo de silicio. El profesor Xie, pionero en compuestos de matriz cerámica, compartió los últimos hallazgos de su equipo sobre ingeniería de límites de grano: un enfoque revolucionario para mejorar la resistencia al choque térmico del carburo de silicio a través de la orientación controlada de los cristales. Al alinear los granos de carburo de silicio β a lo largo de la dirección cristalográfica, demostró a través de modelos a escala atómica que, en teoría, podemos aumentar la tenacidad a la fractura en un 40 % sin comprometer la conductividad térmica.

Como complemento de este marco teórico, el Dr. Wang de IMR presentó datos experimentales de sus ensayos de sinterización a temperatura ultraalta de 2500 °C. Su proceso patentado de recristalización en múltiples etapas logró niveles de densidad sin precedentes (≥99,2 % TD) al tiempo que reducía el contenido de silicio residual a <0,3 %, lo que es fundamental para minimizar la deformación a alta temperatura en aplicaciones de semiconductores. Nuestro equipo de producción creó inmediatamente prototipos de estos parámetros y observó una mejora del 15 % en la planitud de la placa de soporte de la oblea durante las pruebas de CVD posteriores.

La contribución del profesor Ru se centró en la escalabilidad industrial, abordando las barreras históricas de costos de la fabricación de carburo de silicio recristalizado. El modelo de dinámica de fluidos computacional (CFD) de su equipo optimizó nuestros hornos de difusión de gas, reduciendo el consumo de argón en un 22% durante la fase crítica de recristalización. Mientras tanto, las técnicas de modificación de superficies del Dr. Tang mediante grabado químico mejorado con plasma aumentaron con éxitoRecristalizado Carburo de silicioEl umbral de resistencia a la oxidación de 1.400 °C a 1.550 °C en atmósferas oxidativas, un gran avance para los sistemas de protección térmica aeroespacial.

2. Superioridad técnica de las placas RSiC de última generación

2.1 Revolución en la gestión térmica

La colaboraciónRecristalizado Carburo de silicioLas placas ahora alcanzan una conductividad térmica de 110-120 W/m·K (3 veces mayor que la de alúmina), con un coeficiente de expansión térmica (CTE) perfectamente equilibrado de 4,3×10⁻⁶/K. 

Nos sentimos profundamente honrados de que todos los expertos y profesores hayan venido a nuestra empresa en busca de orientación. Desde su creación, nuestra empresa ha mantenido estrechos intercambios y cooperación con muchas universidades e institutos de investigación.

Esperamos que con más intercambios y cooperación, podamos continuar desarrollándonos e innovando, llevando la industria a la excelencia.